【課題組介紹】
為加快實施創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略，由復旦大學與華大半導體聯(lián)合申報的上海碳化硅功率器件工程技術研究中心于2020年2月被上海市科委批準建立。中心通過與半導體器件生產和電力電子應用企業(yè)緊密合作，致力于研發(fā)基于寬禁帶半導體，特別是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料為核心的新型功率器件、工藝和模塊，加速下一代寬禁帶半導體功率電子的廣泛應用。工程中心將致力創(chuàng)建具備國際領先水平的寬禁帶材料缺陷研究、器件制造工藝開發(fā)、元器件設計、模塊封裝以及可靠性測試、先進電力電子技術創(chuàng)新開放平臺及高層次工程技術型人才培養(yǎng)中心和產業(yè)化輻射中心。中心成立以來，已承擔多項寬禁帶功率器件和模塊重大項目，包括和龍頭企業(yè)研發(fā)碳化硅器件的特色新工藝、與國家重點實驗室開發(fā)超高壓碳化硅器件和封裝、參與多項省市科技重大專項等。中心正在積極建設寬禁帶半導體工藝研發(fā)創(chuàng)新平臺，和國際知名企業(yè)共建創(chuàng)新中心和研究院。中心現(xiàn)有教授/研究員7人，其中特聘教授3人，副教授/青年研究員13人。中心招收寬禁帶半導體物理與器件、半導體材料與集成電路、微納器件系統(tǒng)集成、器件及可靠性測試、電力電子技術等方向的物理電子學碩士、博士研究生。
中心負責人張清純教授，現(xiàn)任復旦大學工程與應用技術研究院特聘教授，博士生導師，上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任，復旦大學超越照明研究所副所長，專長于寬禁帶半導體物理與器件的教學、科研、應用與產業(yè)化，長期從事SiC器件的研發(fā)和產業(yè)化，是該領域國際知名專家。迄今已撰寫100余篇科技論文和SiC器件領域專著；多次受邀在國際碳化硅、功率半導體的學術會議上作大會報告；作為第一和合作發(fā)明人，擁有75多項美國專利；多次擔任ISPSD技術委員會成員和碳化硅器件分會主席；曾任國際電力電子技術路線圖研討會聯(lián)合主席等。
因研究工作需要，針對以下方向招聘博士后數(shù)名：
1)寬禁帶半導體材料生長與缺陷表征技術
2)寬帶半導體功率器件設計與先進制造工藝
4)高頻高功率先進封裝技術與可靠性測試
【職位要求】
1)已獲得或即將獲得微電子、電力電子器件與應用、半導體物理與材料、半導體制造裝備、材料科學與工程等相關專業(yè)的博士學位，具有扎實的理論基礎和較強動手實踐能力，至少具備相關領域一項相關研發(fā)經驗;
2)能獨立開展研究工作，并具有優(yōu)秀的團隊合作精神，尤其是從事交叉性學科研究的能力，且具有優(yōu)秀的動手能力和主動性；
3)具有良好的英語讀寫能力，可以獨立撰寫研究論文，具有功率半導體領域出色研發(fā)經歷將獲得優(yōu)先考慮。
【工作職責】
在實驗室PI的指導下完成相關課題研究，并協(xié)助指導實驗室研究生的培養(yǎng)工作。
【薪酬待遇】
1)薪資待遇參照復旦大學相關標準，博士后公寓和子女入學等按照學校相關政策執(zhí)行，課題組根據(jù)個人業(yè)績發(fā)放績效，優(yōu)秀應聘者待遇從優(yōu)。
2)提供優(yōu)越的科研條件和穩(wěn)定的支持，鼓勵博士后按照國家和地方相關政策申報博士后基金等各項基金。
3)鼓勵參加國內外學術會議，提供與國內外高水平實驗室進行學術交流的機會。
請應聘者提供個人簡歷，博士學位論文摘要，發(fā)表論文目錄和1-3篇代表作全文，以及其他可以證明本人能力和學術水平的相關資料，發(fā)送至：Qingchun_zhang@fudan.edu.cn，郵件請注明“應聘博士后+姓名 ”。實驗室將擇優(yōu)通知面試，并提供住宿和往返車費，博后待遇從優(yōu)，詳情面談。
2020年5月11日
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網）
中國-博士人才網發(fā)布
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