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招聘 崗位 |
專(zhuān)任副研究員1名（所屬任務(wù)：3-5nm） |
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崗位 職責(zé) |
1.FinFET及GAA器件的設(shè)計(jì)及工藝整合。 2.SiGe材料外延工藝開(kāi)發(fā)。 3.面向先進(jìn)工藝的DTCO技術(shù)研究。 |
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招聘條件 |
1.擁護(hù)黨和國(guó)家的各項(xiàng)方針政策，遵守法律法規(guī)，品行端正；身體健康，心理素質(zhì)良好；愛(ài)崗敬業(yè)，恪守學(xué)術(shù)規(guī)范和職業(yè)道德。 2.具有微電子、物理、材料相關(guān)專(zhuān)業(yè)/學(xué)科博士學(xué)位。 3.年齡一般在40周歲以下。 4.須具有副高級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格或海外人員達(dá)到相應(yīng)水平，或任務(wù)特需的，具有中級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格（獲聘后按中級(jí)專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格認(rèn)定） 5.精通半導(dǎo)體器件物理以及集成電路工藝，具有豐富的半導(dǎo)體器件和工藝開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，包括EBL/刻蝕/外延/ALD/CVD，器件/工藝仿真等。 6.具有重大項(xiàng)目研究經(jīng)歷者優(yōu)先。 |
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招聘 范圍 |
校內(nèi)、外 |
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崗位 待遇 |
1.與學(xué)校簽訂勞動(dòng)合同，可申請(qǐng)學(xué)校相關(guān)住房。 2.提供有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的薪資待遇和優(yōu)越的科研環(huán)境。 3.符合相關(guān)條件的，可按照學(xué)校規(guī)定申請(qǐng)子女入托入學(xué)。 |
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應(yīng)聘 程序 |
1.應(yīng)聘者發(fā)送個(gè)人簡(jiǎn)歷（包括學(xué)習(xí)研究經(jīng)歷、發(fā)表論文列表、既往研究成果、未來(lái)研究計(jì)劃等）至qyx@fudan.edu.cn,抄送到xu_min@fudan.edu.cn（郵件標(biāo)題注明：應(yīng)聘某某崗位+本人姓名 ）。 2.擇優(yōu)安排面試。 3.擬聘用者報(bào)學(xué)校審批。 |
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聯(lián)系 方式 |
郵箱：xu_min@fudan.edu.cn |
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截止 日期 |
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備注 |
訂立聘用合同或者勞動(dòng)合同以前有下列情形的，不予錄用： （1）受過(guò)刑事處罰、行政拘留處罰，或者因涉嫌違法正在接受有關(guān)部門(mén)調(diào)查，尚未作出結(jié)論的； （2）受到黨（團(tuán)）紀(jì)、政紀(jì)處分，處分尚未解除，或者因涉嫌違紀(jì)正在接受有關(guān)單位調(diào)查，尚未作出結(jié)論的； （3）違反高等學(xué)校教師職業(yè)行為規(guī)范的； （4）在應(yīng)聘過(guò)程中違背誠(chéng)實(shí)信用或者社會(huì)公序良俗的； （5）其他不符合聘用條件的情形。 |
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